全球最大的存储芯片制造商三星电子公司计划将其高带宽存储(HBM)芯片的产量增加一倍以上，以在人工智能芯片领域占据领先地位。

三星负责美国半导体业务的执行副总裁韩进满(Han Jin-man)周四表示，该公司对包括HBM系列在内的高容量存储芯片寄予厚望，希望成为快速增长的人工智能芯片领域的领导者。

“今年将把HBM芯片的产量提高到去年的2.5倍。他在2024年消费电子展(CES)的媒体会议上对记者说:“这一速度明年将继续增长两倍。”

“存储芯片将在人工智能时代发挥主导作用。三星不会受到行业起伏的影响。我们将稳步扩大在增长领域的投资。”

韩院长是公开今年和明年的HBM芯片生产计划的三星高层管理人员。

这家总部位于韩国水原的芯片制造商一直在努力增强其在HBM领域的影响力，该领域正落后于同城竞争对手SK海力士(SK Hynix Inc.)。

HBM是一种高容量、高性能的半导体 半导体芯片的需求正在飙升，因为它被用于为ChatGPT等生成式人工智能设备、高性能数据中心和机器学习平台提供动力。

最近，在智能手机等智能设备上搭载定制化、个性化人工智能功能的“设备上人工智能”(on-device AI)技术的电子企业纷纷推出产品，HBM系列DRAM成为热门话题。

据悉，HBM3是目前最先进的DRAM芯片之一，其容量和带宽分别是最新DRAM产品GDDR6的12倍和13倍。

根据市场追踪机构TrendForce的数据，到2027年，全球HBM市场预计将从今年的39亿美元增长到89亿美元。

去年10月，三星表示，计划在2025年推出下一代HBM4芯片，这是其在人工智能芯片领域领先地位的一部分。

内存代工交钥匙服务

三星电子表示，将把三星代工制造的图形处理器(GPU)和HBM芯片整合到一个芯片组中，为提高HBM的竞争力，将提供“交钥匙服务”。

他在CES 2024上表示，“我们正在积极考虑，像在内存和代工领域同时进行一样，在代工领域生产下一代HBM芯片，而不是在内存领域。”

晶圆代工领军企业台积电(TSMC)和英特尔(Intel Corp.)等领先芯片制造商正激烈争夺先进的封装技术，以提高芯片性能，同时又不需要通过超细加工来缩小纳米尺寸，这在技术上具有挑战性，需要更多时间。

11月，业界消息人士称，三星电子计划在2024年推出先进的三维(3D)芯片封装技术，以更好地与竞争对手竞争。

三星在ces 2024上展示了新的人工智能存储芯片

在今年的电子展上，三星展示了几款目前正在开发或已经向客户供货的最新内存芯片。

为了满足生成型人工智能芯片用户日益增长的需求，三星电子推出了12纳米32g双数据速率5 (DDR5) DRAM芯片;Shinebolt公司的HBM3E芯片;CMM-D是计算机快速链接(CXL) DRAM模块。

在设备上的AI功能方面，三星电子展示了像中央处理器(CPU)一样处理数据的先进DRAM芯片LPDDR5X-PIM。

三星电子还在CES上展示了2.5D封装技术“H-Cube”和“I-Cube”系列。

“从2025年开始，芯片将供不应求。除非出现意外情况，否则客户订单将大幅增加。”

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