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三星电子表示,最新的HBM芯片测试进展顺利

  

  Samsung Electro<em></em>nics Co.'s latest 12-layer HBM3E chips (Yonhap) 三星电子三星电子最新12层HBM3E芯片(韩联社)

  全球最大的存储芯片制造商三星电子(Samsung Electronics Co.)上周五说,在与客户的合作下,其最新高带宽存储芯片的测试过程进展顺利。

  该公司在一份声明中表示:“三星电子目前正在与多家公司密切合作,不断测试这项技术和性能。”“我们也在进行各种测试,以彻底验证HBM的质量和性能。”

  三星强调,为了给顾客提供最好的解决方案,正在努力提高整个产品线的质量和可信度。

  当天早些时候,路透社报道称,由于散热和电源问题,三星电子最新的HBM3E芯片未能通过美国人工智能芯片巨头英伟达的测试。

  此前,三星电子曾表示,将从第二季度开始批量生产12层HBM3E产品。

  HBM是一种高性能DRAM,需求量很大,特别是对于英伟达的图形处理单元,这是人工智能计算的关键组件。

  三星电子最近更换了芯片业务负责人,表明了在人工智能(AI)芯片市场加强竞争力的决心。

  目前,SK海力士是全球人工智能市场的领头羊,也是英伟达最大的供应商。(联合通讯社)

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