SK海力士标志/韩国时报文件

　　在高性能人工智能(AI)存储半导体领域的竞争日益激烈的情况下，SK海力士(SK hynix) 6日表示，将投资38.7亿美元在美国建立先进封装制造及研究开发(R&D)设施。

　　SK海力士表示，位于美国印第安纳州西拉斐特的新工厂将于2028年下半年开始批量生产下一代高带宽存储器(HBM)等人工智能存储器产品。

　　这是三星电子首次在海外设立HBM工厂。

　　该公司表示，还将与普渡大学(Purdue University)等当地机构合作，推动半导体技术的研发工作。

　　SK海力士在一份声明中表示:“这是美国首个此类项目，预计将推动美国人工智能供应链的创新，同时为该地区带来1000多个新工作岗位。”

　　这家芯片制造商表示，之所以选择印第安纳州作为其在美国的第一家封装工厂，是因为该州拥有强大的制造基础设施、蓬勃发展的研发生态系统和熟练的劳动力，尤其是普渡大学的人才库。

　　HBM芯片是用于人工智能计算的集成组件，随着诸如ChatGPT等模型的生成式人工智能等应用的兴起，HBM芯片引起了越来越多的关注。

　　被认为是HBM业界领头羊的SK海力士上个月开始批量生产最新的第五代HBM3E芯片，其中大部分都出口给了美国人工智能芯片巨头英伟达。

　　SK海力士社长郭鲁忠(音)当地时间25日在美国普渡大学举行的签约仪式上表示:“在业界率先在美国建立尖端的人工智能(AI)封装设施，这将有助于加强供应链的弹性和发展本土半导体生态系统，我们对此感到非常兴奋。”

　　另外，SK海力士表示，将按计划推进在韩国的投资计划。

　　作为在首尔南郊龙仁建立半导体集群的120万亿韩元(889亿美元)项目的一部分，该公司计划于2025年3月破土动工，并于2027年完工。

　　此外，还将建设拥有300毫米晶圆加工设备的迷你工厂，用于测试半导体材料、元件和设备。(联合通讯社)